การศึกษาคุณสมบัติทางโครงสร้างและแสงของควอนตัมดอทโดยใช้วิธีเคดอทพี

แสดงการคำนวณโครงสร้างทางอิเล็กทรอนิกส์และการกระจายตัวของความเครียดสำหรับ InAS/GaAs ควอนตัมดอท การคำนวณการกระจายตัวของความเครียดอยู่บนพื้นฐานทฤษฎียืดหยุ่นอย่างต่อเนื่อง (continuum elastic theory) การคำนวณศักย์เพียโซอิเล็กทริก (Piezoelectric potential) โดยการหาผลเฉลี่ยของสมการฟัวซง 3 มิติ คำนวณระดับพลังงานของอิเล็กตรอนและหลุมของ InAS/GaAs ควอนตัมดอทได้โดยวิธีเคดอทพี (k.p method) ที่จัดเตรียมไว้ให้ ผลการคำนวณแสดงผลกระทบของความเครียดและเพียโซอิเล็กทริก